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TFS 200原子層沉積ALD

簡要描述:一、簡介:TFS200是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的最靈活的ALD平臺,是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至而特別設(shè)計的

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

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更新時間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

一、簡介:TFS 200 是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的最靈活的 ALD 平臺,是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至而特別設(shè)計的。

TFS 200 不僅可以在晶圓,平面物體上鍍膜,還適用于粉末,顆粒,多孔的基底材料,或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。

直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積 (PEALD) 可作為TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選項。等離子體是電容性耦合(CCP),這是當(dāng)今的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。等離子體選件可為直徑200毫米的基板(面朝上或面朝下)提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強沉積 (PEALD)

二、技術(shù)參數(shù):

  • 循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒。

  • 高深徑比(HAR)選項適用于通孔和多孔的基底材料。

  • 可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應(yīng)腔。

  • 安裝在真空反應(yīng)腔的輔助接口可實現(xiàn)等離子體和在線診斷等。

  • 加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設(shè)備集成


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