一、產品介紹

CIF推出等離子去膠機，采用電感耦合各向同性（各個方向）等離子激發(fā)方式，適用于所有的基材及復雜的幾何構形都可以進行等離子體去膠。其外觀美學設計，結構緊湊，漂亮大氣，優(yōu)化的腔體結構及合理的結構設計，使得處理樣品量更大，適用范圍更廣，性能更穩(wěn)定，操作更簡便，性價比更高，使用成本更低，實用性更強，更容易維護。特別適合于大學，科研院所和微電子、半導體企業(yè)實驗室，對電路板、外延片、芯片、環(huán)氧基樹脂、MEMS制造過程中犧牲層，干刻或濕刻處理前或后，對基材進行聚合物剝離、金屬剝離、掩膜材料等光刻膠去除，以及晶圓表面預處理等。

二、產品特點

u PLC工控機控制整個去膠過程，手動、自動兩種工作模式。

u 7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數狀態(tài)，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數據，機器運行、停止提示。

u 石英真空倉，全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。

u 可選用石英舟，更適合晶元硅片去膠應用。

u 有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

u 采用花灑式多孔進氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。

u 采用防腐數字流量計，實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

u HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

u 處理高效均勻，效率高，工藝重復性好。

u 樣品處理溫度低，無熱損傷和熱氧化。

u 安全保護，倉門打開，自動關閉電源。

三、技術參數